测试芯片性能已达900MHz
上海和英国剑桥2012年2月27日电 /美通社亚洲/ -- 国际领先的 IC 设计公司及一站式服务供应商 -- 灿芯半导体（上海）有限公司（以下简称“灿芯半导体”）与中芯国际集成电路制造有限公司（“中芯国际”，纽约证券交易所：SMI，香港联合交易所：0981.HK）及 ARM 今日联合宣布，采用中芯国际40纳米低漏电工艺的 ARM® Cortex™-A9 MPCore™ 双核测试芯片首次成功流片。
该测试芯片基于 ARM Cortex-A9 双核处理器设计，采用了中芯国际的40纳米低漏电工艺。处理器使用了一个集 32K I-Cache 和 32K D-Cache，128 TLB entries，NEON™ 技术，以及包括调试和追踪技术的 CoreSight™ 设计套件。除高速标准单元库，该测试芯片还采用高速定制存储器和单元库以提高性能。设计规则检测之签核流程（sign-off）结果已达到 900MHz（WC），预计2012年第二季度流片结束后，实测结果将达到1.0GHz。
灿芯半导体总裁兼首席执行官职春星博士指出：“ARM Cortex-A9双核测试芯片采用了中芯国际的40纳米低漏电工艺，大幅缩短了整个芯片设计时间，并且降低了开发成本与流片风险，这一系列工艺技术和设 计上的优化措施将推动高性能的 Cortex-A9处理器快速面市。我们很高兴在处理器内核及其优化实现上与 ARM 及中芯国际建立紧密的合作伙伴关系，该测试芯片的顺利流片再次证明了三家公司合作的成功。有了 ARM 和中芯国际的支持，我们必将为需要高性能 ARM 内核的客户带来巨大价值。”
中芯国际首席商务长季克非表示：“通过与 ARM 和灿芯的密切合作，中芯国际能够为客户提供一个快速实现从设计到生产的完整平台。我们十分重视与灿芯、ARM 的合作伙伴关系。也正因为他们的努力，我们才能达成此40纳米技术的重要里程碑，这对我们‘为客户提供最先进的制程技术’的共同承诺是最有力的证明。中芯 国际40纳米技术结合 ARM Cortex-A9处理器和灿芯的设计流程，将有助于满足高性能和低功耗消费电子产品日益增长的需求。”
ARM 中国区总裁吴雄昂说：“在中国，ARM 坚持致力于与合作伙伴共同努力，创造一个推动创新与成长的生态系统。这个与灿芯半导体、中芯国际共同创造的重要里程碑，证明了通过我们的合作，可以承诺并最终实现以高性能、低功耗的产品，来更快地满足市场不同领域的需求。”
关于 ARM
ARM 公司设计先进的数字产品核心应用技术，应用领域从无线、网络和消费娱乐解决方案到影像、汽车电子、安全应用及存储装置。 ARM 提供广泛地产品，包括： 32位 RISC 微处理器、图形处理器、视频引擎、软件(enabling software)、单元库、嵌入式存储器、高速连接产品(PHY)、I/O(外设)和开发工具。ARM 公司综合了全面设计、培训、支持和维护方案等服务，通过协同众多技术合作伙伴为业界领先的电子企业提供快速、可靠的完整系统解决方案。欲了解ARM公司详 情，请访问以下连接：http://www.arm.com/
关于灿芯半导体
灿芯半导体（上海）有限公司是一家 ASIC 设计以及后段一站式服务公司，为客户提供最具成本效益的，可预测和可靠的定制化 ASIC 解决方案。与 Open-Silicon 和中芯国际成为战略合作伙伴，灿芯采用成熟的设计流程和方法，具备先进的设计能力，提供一站式定制化 ASIC 解决方案，以一个提供低成本，低风险的成熟商业模式替代了复杂的 ASIC 设计和开发的传统模式。
欲了解更多讯息，请访问 www.britesemi.com。
关于中芯国际
中芯国际集成电路制造有限公司(“中芯国际”，纽约证交所股票代码：SMI，香港联合交易所股票代码：981)，是世界领先的集成电路晶圆代工企业 之一，也是中国内地规模最大、技术最先进的集成电路晶圆代工企业。中芯国际向全球客户提供0.35微米到40纳米晶圆代工与技术服务。中芯国际总部位于上 海，在上海建有一座 300mm 晶圆厂和三座 200mm 晶圆厂。在北京建有两座 300mm 晶圆厂，在天津建有一座 200mm 晶圆厂，在深圳有一座 200mm 晶圆厂在兴建中。中芯国际还在美国、欧洲、日本和台湾地区提供客户服务和设立营销办事处，同时在香港设立了代表处。此外，中芯国际代武汉新芯集成电路制造 有限公司经营管理一座 300mm 晶圆厂。详细信息请参考中芯国际网站 www.smics.com 。
安全港声明
（根据1995 私人有价证券诉讼改革法案）本次新闻发布可能载有（除历史资料外）依据1995 美国私人有价证券诉讼改革法案的“安全港”条文所界定的“前瞻性陈述”。该等前瞻性陈述的声明乃根据中芯对未来事件的现行假设、期望及预测而作出。中芯使 用“相信”、“预期”、“打算”、“估计”、“期望”、“预测”或类似的用语来标识前瞻性陈述，尽管并非所有前瞻性声明都包含这些用语。这些前瞻性声明涉 及可能导致中芯实际表现、财务状况和经营业绩与这些前瞻性声明所表明的意见产生重大差异的已知和未知的重大风险、不确定因素和其他因素，当前全球金融危机 的相关风险、未决诉讼的颁令或判决，和终端市场的财政稳定。投资者应考虑中芯呈交予美国证券交易委员会（“证交会”）的文件资料，包括其于二零一一年六月 二十八日以20-F 表格形式呈交给证交会的年报，特别是在“风险因素”和“管理层对财务状况和经营业绩的讨论与分析”部分，并中芯不时向证交会(包括以 6-K 表格形式)，或联交所呈交的其他文件。其它未知或不可预测的因素也可能对中芯的未来结果，业绩或成就产生重大不利影响。鉴于这些风险，不确定性，假设及因 素本次新闻发布中讨论的前瞻性事件可能不会发生。请阁下审慎不要过分依赖这些前瞻性声明，因其只于声明当日有效，如果没有标明声明的日期，就截至本新闻发 布之日。除法律有所规定以外，中芯概不负责因新资料、未来事件或其他原因引起的任何情况，亦不拟更新任何前瞻性陈述。
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上海和英国剑桥2012年2月27日电 /美通社亚洲/ -- 国际领先的 IC 设计公司及一站式服务供应商 -- 灿芯半导体（上海）有限公司（以下简称“灿芯半导体”）与中芯国际集成电路制造有限公司（“中芯国际”，纽约证券交易所：SMI，香港联合交易所：0981.HK）及 ARM 今日联合宣布，采用中芯国际40纳米低漏电工艺的 ARM® Cortex™-A9 MPCore™ 双核测试芯片首次成功流片。
该测试芯片基于 ARM Cortex-A9 双核处理器设计，采用了中芯国际的40纳米低漏电工艺。处理器使用了一个集 32K I-Cache 和 32K D-Cache，128 TLB entries，NEON™ 技术，以及包括调试和追踪技术的 CoreSight™ 设计套件。除高速标准单元库，该测试芯片还采用高速定制存储器和单元库以提高性能。设计规则检测之签核流程（sign-off）结果已达到 900MHz（WC），预计2012年第二季度流片结束后，实测结果将达到1.0GHz。
灿芯半导体总裁兼首席执行官职春星博士指出：“ARM Cortex-A9双核测试芯片采用了中芯国际的40纳米低漏电工艺，大幅缩短了整个芯片设计时间，并且降低了开发成本与流片风险，这一系列工艺技术和设 计上的优化措施将推动高性能的 Cortex-A9处理器快速面市。我们很高兴在处理器内核及其优化实现上与 ARM 及中芯国际建立紧密的合作伙伴关系，该测试芯片的顺利流片再次证明了三家公司合作的成功。有了 ARM 和中芯国际的支持，我们必将为需要高性能 ARM 内核的客户带来巨大价值。”
中芯国际首席商务长季克非表示：“通过与 ARM 和灿芯的密切合作，中芯国际能够为客户提供一个快速实现从设计到生产的完整平台。我们十分重视与灿芯、ARM 的合作伙伴关系。也正因为他们的努力，我们才能达成此40纳米技术的重要里程碑，这对我们‘为客户提供最先进的制程技术’的共同承诺是最有力的证明。中芯 国际40纳米技术结合 ARM Cortex-A9处理器和灿芯的设计流程，将有助于满足高性能和低功耗消费电子产品日益增长的需求。”
ARM 中国区总裁吴雄昂说：“在中国，ARM 坚持致力于与合作伙伴共同努力，创造一个推动创新与成长的生态系统。这个与灿芯半导体、中芯国际共同创造的重要里程碑，证明了通过我们的合作，可以承诺并最终实现以高性能、低功耗的产品，来更快地满足市场不同领域的需求。”
关于 ARM
ARM 公司设计先进的数字产品核心应用技术，应用领域从无线、网络和消费娱乐解决方案到影像、汽车电子、安全应用及存储装置。 ARM 提供广泛地产品，包括： 32位 RISC 微处理器、图形处理器、视频引擎、软件(enabling software)、单元库、嵌入式存储器、高速连接产品(PHY)、I/O(外设)和开发工具。ARM 公司综合了全面设计、培训、支持和维护方案等服务，通过协同众多技术合作伙伴为业界领先的电子企业提供快速、可靠的完整系统解决方案。欲了解ARM公司详 情，请访问以下连接：http://www.arm.com/
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灿芯半导体（上海）有限公司是一家 ASIC 设计以及后段一站式服务公司，为客户提供最具成本效益的，可预测和可靠的定制化 ASIC 解决方案。与 Open-Silicon 和中芯国际成为战略合作伙伴，灿芯采用成熟的设计流程和方法，具备先进的设计能力，提供一站式定制化 ASIC 解决方案，以一个提供低成本，低风险的成熟商业模式替代了复杂的 ASIC 设计和开发的传统模式。
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关于中芯国际
中芯国际集成电路制造有限公司(“中芯国际”，纽约证交所股票代码：SMI，香港联合交易所股票代码：981)，是世界领先的集成电路晶圆代工企业 之一，也是中国内地规模最大、技术最先进的集成电路晶圆代工企业。中芯国际向全球客户提供0.35微米到40纳米晶圆代工与技术服务。中芯国际总部位于上 海，在上海建有一座 300mm 晶圆厂和三座 200mm 晶圆厂。在北京建有两座 300mm 晶圆厂，在天津建有一座 200mm 晶圆厂，在深圳有一座 200mm 晶圆厂在兴建中。中芯国际还在美国、欧洲、日本和台湾地区提供客户服务和设立营销办事处，同时在香港设立了代表处。此外，中芯国际代武汉新芯集成电路制造 有限公司经营管理一座 300mm 晶圆厂。详细信息请参考中芯国际网站 www.smics.com 。
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（根据1995 私人有价证券诉讼改革法案）本次新闻发布可能载有（除历史资料外）依据1995 美国私人有价证券诉讼改革法案的“安全港”条文所界定的“前瞻性陈述”。该等前瞻性陈述的声明乃根据中芯对未来事件的现行假设、期望及预测而作出。中芯使 用“相信”、“预期”、“打算”、“估计”、“期望”、“预测”或类似的用语来标识前瞻性陈述，尽管并非所有前瞻性声明都包含这些用语。这些前瞻性声明涉 及可能导致中芯实际表现、财务状况和经营业绩与这些前瞻性声明所表明的意见产生重大差异的已知和未知的重大风险、不确定因素和其他因素，当前全球金融危机 的相关风险、未决诉讼的颁令或判决，和终端市场的财政稳定。投资者应考虑中芯呈交予美国证券交易委员会（“证交会”）的文件资料，包括其于二零一一年六月 二十八日以20-F 表格形式呈交给证交会的年报，特别是在“风险因素”和“管理层对财务状况和经营业绩的讨论与分析”部分，并中芯不时向证交会(包括以 6-K 表格形式)，或联交所呈交的其他文件。其它未知或不可预测的因素也可能对中芯的未来结果，业绩或成就产生重大不利影响。鉴于这些风险，不确定性，假设及因 素本次新闻发布中讨论的前瞻性事件可能不会发生。请阁下审慎不要过分依赖这些前瞻性声明，因其只于声明当日有效，如果没有标明声明的日期，就截至本新闻发 布之日。除法律有所规定以外，中芯概不负责因新资料、未来事件或其他原因引起的任何情况，亦不拟更新任何前瞻性陈述。
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