中芯新闻

中芯国际推出自主研发的38纳米NAND闪存工艺制程

2014年09月10日


上海2014年9月10日电 /美通社/ -- 中芯国际集成电路制造有限公司(“中芯国际”,纽约证交所股票代码:SMI,香港联交所股票代码:981)今日宣布38纳米 NAND 闪存工艺制程已准备就绪,中芯国际凭此成为唯一一家可为客户生产 NAND 产品的代工厂。该工艺平台完全由中芯国际自主研发,可满足特殊存储器无晶圆厂客户对高质量、低密度 NAND 闪存持续增长的需求,使中芯国际占据该领域的领先地位。

NAND 闪存是近年来发展最为迅速的非易失性存储(NVM)产品。38纳米 NAND 闪存主要面向嵌入式产品、移动计算、物联网(IoT)、电视及机顶盒等多种大需求量的特殊应用领域。客户也可利用此技术带动串行外设接口(SPI)NAND 市场的发展以及不断增长的 IoT 相关产品的应用。此次中芯国际成功推出38纳米 NAND 闪存技术,能够帮助客户满足中国及全球市场对此技术的需求。

中芯国际技术研发执行副总裁李序武博士表示,“此前中芯国际已开发出一系列从130纳米到65纳米的特殊 NOR 闪存平台。经过研发团队专注及系统的努力,我们成功推出了38纳米 NAND 闪存,在技术多元化方面取得重要进展,也为后续开发更先进的2x/1x纳米及3D NAND 闪存奠定了稳固的基础。我们将继续努力推进 NAND 闪存技术的开发,以满足无晶圆厂客户对高质量标准的要求。”

中芯国际首席执行官兼执行董事邱慈云博士表示,“这一重要里程碑对中芯国际以及特殊存储器客户及合作伙伴,都具有重大的战略性意义。对客户来说,中芯国际显示了其在非易失性存储技术开发方面的决心和能力。此外,还证明中芯国际有足够的实力在精心选择的细分市场确立领导地位。”

关于中芯国际

中芯国际集成电路制造有限公司(“中芯国际”,纽交所代号:SMI,港交所股份代号:981),是世界领先的集成电路晶圆代工企业之一,也是中国内地规模最大、技术最先进的集成电路晶圆代工企业。中芯国际向全球客户提供0.35微米到28纳米晶圆代工与技术服务。中芯国际总部位于上海,在上海建有一座300mm 晶圆厂和一座200mm 超大规模晶圆厂;在北京建有一座300mm 超大规模晶圆厂,一座控股的300mm 先进制程晶圆厂正在开发中;在天津建有一座200mm 晶圆厂;在深圳正开发一个200mm 晶圆厂项目。中芯国际还在美国、欧洲、日本和台湾地区设立营销办事处、提供客户服务,同时在香港设立了代表处。详细信息请参考中芯国际网站 www.smics.com

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(根据 1995 私人有价证券诉讼改革法案)

本文件可能载有(除历史资料外)依据美国一九九五年私人有价证券诉讼改革法案“安全港”条文所界定的“前瞻性陈述”。该等前瞻性陈述乃基于中芯国际对未来事件的现行假设、期望及预测。中芯国际使用“相信”、“预期”、“计划”、“估计”、“预计”、“预测”及类似表述 为该等前瞻性陈述之标识,但并非所有前瞻性陈述均包含上述字眼。该等前瞻性陈述乃反映中芯国际高级管理层根据最佳判断作出的估计,存在重大已知及未知的风险、不确定性以及其它可能导致中芯国际实际业绩、财务状况或经营结果与前瞻性陈述所载资料有重大差异的因素,包括(但不限于)与半导体行业周期及市况有关风险、激烈竞争、中芯国际客户能否及时接受晶圆产品、能否及时引进新技术、中芯国际量产新产品的能力、半导体代工服务供求情况、行业产能过剩、设备、零件及原材料短缺、制造产能供给、终端市场的金融情况是否稳定和高科技巿场常见的知识产权诉讼。

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